• 인피니언, 200mm SiC 웨이퍼 기술 기반 전력 반도체 출시

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    • 2025-02-19

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    인피니언 테크놀로지스가 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 기술을 적용한 전력 반도체를 2025년 1분기 내에 출시한다. 오스트리아 빌라흐에서 제조되는 이 제품은 신재생 에너지, 철도, 전기차 등 고전압 애플리케이션을 위한 SiC 전력 기술을 제공한다. 말레이시아 쿨림에 위치한 인피니언 제조 시설은 150mm 웨이퍼에서 200mm 웨이퍼로의 전환을 진행 중이다.

    SiC 반도체는 전력 변환 효율을 높이고 극한 환경에서도 높은 신뢰성과 견고성을 유지하며, 소형화 설계를 가능하게 한다. 이를 통해 전기차, 고속 충전소, 철도, 신재생 에너지 시스템, AI 데이터 센터와 같은 고전력 애플리케이션의 에너지 효율을 향상할 수 있다. 인피니언은 그린 에너지 전환과 탄소 배출 저감을 목표로 고성능 전력 반도체 포트폴리오를 제공하고 있다.

    빌라흐와 쿨림에 위치한 인피니언의 생산 공장은 와이드 밴드갭(WBG) 기술을 위한 통합 제조 네트워크를 운영하고 있으며, SiC 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 반도체 생산을 위한 공정과 기술을 공유해 생산 역량을 확대하고 있다. 200mm SiC 제조 도입은 인피니언의 실리콘, SiC, GaN을 포함한 전력 반도체 포트폴리오에서 기술적 리더십을 더욱 강화한다.


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